产品系列 | DP2100 | |||
闪存颗粒 | 3D TLC NAND | |||
接口协议 | PCIe3.0 x 4，NVMe1.4 | |||
形态尺寸 | M.2 2242，M.2 2280 | |||
容量 | 256 GB | 512 GB | 1 TB | 2 TB |
顺序读取（max） | 3489 MB/s | 3490 MB/s | 3531 MB/s | 3461 MB/s |
顺序写入（max） | 1383 MB/s | 2589 MB/s | 3419 MB/s | 3416 MB/s |
随机读取（max） | 221000 IOPS | 391000 IOPS | 535000 IOPS | 446000 IOPS |
随机写入（max） | 324000 IOPS | 437000 IOPS | 446000 IOPS | 455000 IOPS |
特性 | 支持RAID、 SRAM ECC，智能块管理技术，PLN/PLA，支持产品定制 | |||
工作温度 | 0℃~+70℃/-40 ℃~+85℃（可定制） | |||
存储温度 | -40 ℃~85℃/-55 ℃~+90℃（可定制） | |||
功耗 | 运行功耗<3.7W，空闲功耗<4mW | |||
振动 | 非工作：20G，20~2000Hz | |||
冲击 | 非工作：1500G，0.5ms，3axis | |||
认证 | RoHS、WEEE、REACH、CE | |||
兼容性 | Windows 7/8.1/10；主流Linux操作系统 | |||
应用 | 工业电脑、工业开发板、工业过程控制设备、服务器业务板卡、工业信息记录系统、光纤智能终端机等 | |||
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